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IRLR8743TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：160A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRLR8743TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2000+:￥2.57 1+:￥2.69 |
3759 |
2年内
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圣禾堂
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IRLR8743TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-2(DPAK)
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2000+:￥2.6728 1+:￥2.7976 |
3613 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLR8743TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO252
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500+:￥3.14 100+:￥3.31 21+:￥3.82 1+:￥4.45 |
1590 |
17+/18+
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在芯间
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IRLR8743TRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252
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20000+:￥3.234 4000+:￥3.4913 2000+:￥3.675 500+:￥5.145 200+:￥7.35 10+:￥11.9621 |
388 |
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油柑网
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IRLR8743TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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500+:￥3.35 100+:￥4.14 30+:￥4.78 10+:￥5.42 1+:￥6.7 |
555 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 160A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.1 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 59 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4880 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 135W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |