MJE15032G
onsemi(安森美)
TO-220
¥2.6631
980
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):8 A,电压 - 集射极击穿(最大值):250 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 100mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO)
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MJE15032G
onsemi(安森美)
TO-220

1000+:¥2.6631

500+:¥2.8215

100+:¥3.1482

50+:¥3.72

10+:¥4.54

1+:¥5.63

972

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MJE15032G
ON Semiconductor
TO-220

1000+:¥2.68

500+:¥2.85

100+:¥3.12

30+:¥3.67

10+:¥4.12

1+:¥4.8

1281

2501+
1工作日
MJE15032G
On Semiconductor/Fairchild
TO-220

8000+:¥3.0692

4000+:¥3.1222

2000+:¥3.228

1000+:¥3.3074

2000

25+
3-6工作日
MJE15032G
On Semiconductor/Fairchild
TO-220

400+:¥3.4143

200+:¥3.4742

100+:¥3.5341

50+:¥3.7438

9000

25+
3-6工作日
MJE15032G
On Semiconductor/Fairchild
TO-220

1000+:¥3.9648

500+:¥4.032

1+:¥4.2

3779

24+
3-5工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 8 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 250 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 100mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值) 10µA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 10 @ 2A,5V
功率 - 最大值 50 W
频率 - 跃迁 30MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3