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BSC016N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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BSC016N06NSATMA1
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Infineon(英飞凌)
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PowerTDFN-8
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5000+:￥2.64261 1000+:￥2.6799 500+:￥2.71719 100+:￥2.74951 10+:￥2.78432 |
330 |
22+
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现货
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硬之城
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BSC016N06NS
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Infineon(英飞凌)
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卷装
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5000+:￥2.68 1+:￥2.79 |
19100 |
25+
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圣禾堂
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BSC016N06NS
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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1+:￥2.6887 |
110 |
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华秋商城
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BSC016N06NS
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8-EP(5x6)
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5000+:￥2.7872 1+:￥2.9016 |
9091 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSC016N06NS
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8FL
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1000+:￥2.8 500+:￥2.97 100+:￥3.28 30+:￥3.81 10+:￥4.33 1+:￥5.39 |
2099 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 95µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 71 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5200 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），139W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |