IRFS7530TRL7PP
Infineon(英飞凌)
TO-263-7
¥5.69
28,380
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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IRFS7530TRL7PP
Infineon(英飞凌)
D2PAK-7

500+:¥5.69

100+:¥6.13

20+:¥7.57

1+:¥9.86

2549

22+/23+
IRFS7530TRL7PP
Infineon(英飞凌)
TO-263-7

800+:¥5.83

1+:¥6.03

1442

23+
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IRFS7530TRL7PP
Infineon(英飞凌)
TO-263-7

100+:¥6.14

30+:¥7.58

10+:¥8.53

1+:¥10.06

394

-
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IRFS7530TRL7PP
英飞凌(INFINEON)
D2PAK-7

8000+:¥6.842

1600+:¥7.3863

800+:¥7.775

400+:¥10.885

100+:¥15.55

10+:¥25.3076

23995

-
IRFS7530TRL7PP
INFINEON
D2PAK (TO-263)

25+:¥8.82

1+:¥9.212

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 240A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.4 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 354 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 12960 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 375W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)