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SQJ479EP-T1_GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8L
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SQJ479EP-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAKSO-8L
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1000+:￥2.42 500+:￥2.57 100+:￥2.87 30+:￥3.35 10+:￥3.85 1+:￥4.83 |
2847 |
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立创商城
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SQJ479EP-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK SO-8
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500+:￥2.56 100+:￥2.86 20+:￥3.34 1+:￥4.62 |
3473 |
23+/22+
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在芯间
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SQJ479EP-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥2.26 1+:￥2.36 |
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圣禾堂
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SQJ479EP-T1_GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥2.486 6000+:￥2.6838 3000+:￥2.825 800+:￥3.955 100+:￥5.65 20+:￥9.1954 |
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油柑网
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SQJ479EP-T1_GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥3.8605 |
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 32A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 33 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 150 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4500 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 68W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |