DMP2004K-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.13936
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.137

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SOT-23

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DMP2004K-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

1000+:¥0.1407

100+:¥0.1552

1+:¥0.2814

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30000+:¥0.1507

6000+:¥0.1627

3000+:¥0.1713

800+:¥0.2398

200+:¥0.3426

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6852

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3000+:¥0.1937

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 600mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 900 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 175 pF @ 16 V
功率耗散(最大值) 550mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3