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IPB107N20N3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TO-263-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：88A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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价格(含税)
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥6.27 |
25000 |
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1-3工作日
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-3
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1000+:￥6.45 500+:￥6.67 100+:￥7.17 30+:￥8.3 10+:￥9.39 1+:￥11.14 |
1567 |
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立创商城
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Infineon(英飞凌)
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1000+:￥8.1 1+:￥8.4 |
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24+
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圣禾堂
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英飞凌(INFINEON)
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10000+:￥8.701 2000+:￥9.3931 1000+:￥9.8875 500+:￥13.8425 100+:￥19.775 10+:￥32.1838 |
30000 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TO-263-3
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500+:￥8.83 100+:￥9.75 20+:￥10.9 1+:￥12.5 |
2200 |
23+/24+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 88A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.7 毫欧 @ 88A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 87 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7100 pF @ 100 V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |