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CSD16301Q2
TI(德州仪器)
WSON-6(2x2)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：3V，8V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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CSD16301Q2
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德州仪器(TI)
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WSON-6(2x2)
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30000+:￥0.5593 6000+:￥0.6038 3000+:￥0.6356 800+:￥0.8898 100+:￥1.2712 20+:￥2.0689 |
1794 |
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油柑网
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CSD16301Q2
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TI(德州仪器)
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WSON-6(2x2)
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6000+:￥0.5917 3000+:￥0.6319 500+:￥0.7379 150+:￥0.8974 50+:￥1.0191 5+:￥1.3033 |
750 |
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立即发货
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立创商城
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CSD16301Q2
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TI(德州仪器)
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WSON-6(2x2)
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3000+:￥0.7302 1000+:￥0.74376 500+:￥0.75732 100+:￥0.7702 10+:￥0.7797 |
53594 |
21+
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现货
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硬之城
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CSD16301Q2
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TI(德州仪器)
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WSON-6
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100+:￥0.74 30+:￥0.892 10+:￥1.014 1+:￥1.298 |
2595 |
20+/21+
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在芯间
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TI(德州仪器)
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WSON-6(2x2)
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3000+:￥0.8519 1000+:￥0.86772 500+:￥0.88354 100+:￥0.89857 10+:￥0.90965 |
86142 |
2123
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3V，8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 4A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.55V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.8 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | +10V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 12.5 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | External:Taiwan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | External:1 |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3 |