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IRLR2905TRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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IRLR2905TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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DPAK(TO-252AA)
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1000+:￥1.79 500+:￥1.89 100+:￥2.42 30+:￥2.75 10+:￥3.07 1+:￥3.72 |
1703 |
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Infineon(英飞凌)
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TO-252(DPAK)
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100+:￥1.8622 30+:￥1.9707 10+:￥2.0069 1+:￥2.1877 |
436 |
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Infineon(英飞凌)
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TO252
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3000 |
22+/23+
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在芯间
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-3
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20000+:￥1.991 4000+:￥2.1494 2000+:￥2.2625 500+:￥3.1675 200+:￥4.525 10+:￥7.3644 |
9321 |
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油柑网
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INFINEON
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TO-252
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1+:￥3.8612 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 48 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |