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BSH103,215
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：850mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSH103,215
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NEXPERIA
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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3000+:￥0.2695 1000+:￥0.2744 100+:￥0.2842 1+:￥0.294 |
10634 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSH103,215
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.27 1+:￥0.305 |
77713 |
25+
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圣禾堂
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BSH103,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.2808 1+:￥0.3172 |
71582 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSH103,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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6000+:￥0.2967 3000+:￥0.3169 500+:￥0.3572 150+:￥0.4076 50+:￥0.4748 5+:￥0.6091 |
6040 |
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立创商城
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BSH103,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.29709 |
311784 |
25+24+23+
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1-3工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 850mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 500mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 400mV @ 1mA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 2.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 83 pF @ 24 V |
| 功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |