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IRLL014NTRPBF
Infineon(英飞凌)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IRLL014NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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2500+:￥0.78 1+:￥0.842 |
26565 |
2年内
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圣禾堂
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IRLL014NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223-3
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2500+:￥0.7904 1+:￥0.8528 |
23223 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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IRLL014NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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5000+:￥0.8464 2500+:￥0.9034 500+:￥0.9983 150+:￥1.2578 50+:￥1.4287 5+:￥1.8273 |
9390 |
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立创商城
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IRLL014NTRPBF
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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2500+:￥0.8582 1000+:￥0.9389 500+:￥0.9484 50+:￥1.3573 5+:￥1.7359 |
3395 |
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华秋商城
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IRLL014NTRPBF
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-223
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25000+:￥0.902 5000+:￥0.9738 2500+:￥1.025 800+:￥1.435 200+:￥2.05 10+:￥3.3364 |
35350 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 140 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 230 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |