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IRFP4768PBF
Infineon(英飞凌)
TO-247AC
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：93A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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IRFP4768PBF
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Infineon(英飞凌)
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TO-247AC
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1000+:￥6.49 500+:￥6.73 100+:￥7.26 25+:￥8.44 10+:￥10.39 1+:￥12.24 |
1658 |
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Infineon(英飞凌)
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TO-247AC-3
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1200+:￥6.696 800+:￥6.71 400+:￥6.79 |
60000 |
25+
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1-3工作日
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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3975 |
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油柑网
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22+/23+
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在芯间
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Infineon(英飞凌)
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400+:￥6.76 1+:￥7.03 |
99 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 250 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 93A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17.5 毫欧 @ 56A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 270 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10880 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 520W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |