2N7002
LGE(鲁光)
SOT-23
¥0.05535
12,955
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):115mA,导通电阻(RDS(on)):7.5Ω@10V
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2N7002
LGE(鲁光)
SOT-23

21000+:¥0.0554

9000+:¥0.0598

3000+:¥0.0679

600+:¥0.0858

200+:¥0.1014

20+:¥0.1297

8640

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2N7002
LGE(鲁光)
SOT-23

2000+:¥0.0583

1000+:¥0.061

500+:¥0.0648

100+:¥0.0729

20+:¥0.081

5+:¥0.0891

2140

-
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2N7002
鲁光(LGE)
SOT-23

2000+:¥0.072

1000+:¥0.1008

500+:¥0.1152

100+:¥0.1224

20+:¥0.1368

5+:¥0.1663

2140

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2N7002
LGE
SOT-23

1+:¥0.1235

35

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2N7002
LGE/深圳鲁光电子
SOT-23

207000+:¥0.0494

90000+:¥0.0523

30000+:¥0.0542

300000

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 115mA
导通电阻(RDS(on)) 7.5Ω@10V