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NTR4170NT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTR4170NT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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30000+:￥0.4475 6000+:￥0.4831 3000+:￥0.5085 800+:￥0.7119 100+:￥1.017 20+:￥1.6552 |
30000 |
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油柑网
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NTR4170NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.47 1+:￥0.503 |
919 |
25+
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圣禾堂
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NTR4170NT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.4791 3000+:￥0.5057 500+:￥0.559 150+:￥0.6255 50+:￥0.7142 5+:￥0.8917 |
7850 |
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立创商城
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NTR4170NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.4888 1+:￥0.52312 |
917 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NTR4170NT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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200+:￥0.6094 60+:￥0.8822 |
919 |
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3天-15天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 55 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4.76 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 432 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 480mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |