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PMV100EPAR
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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PMV100EPAR
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.63663 |
30000 |
23+
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1-3工作日发货
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硬之城
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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6000+:￥0.6628 3000+:￥0.7043 500+:￥0.7734 150+:￥0.9287 50+:￥1.0532 5+:￥1.3437 |
2970 |
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立创商城
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PMV100EPAR
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.7472 1500+:￥0.8593 1000+:￥1.0483 100+:￥1.3418 1+:￥1.7712 |
17134 |
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3天-5天
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唯样商城
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PMV100EPAR
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Nexperia(安世)
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TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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3000+:￥0.8 1+:￥0.844 |
4342 |
2年内
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圣禾堂
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.832 1+:￥0.87776 |
4238 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130毫欧 @ 2，2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 616 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 710mW（Ta），8.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |