AON7524
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
¥1.14
0
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A(Ta),28A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
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AON7524
AOS(美国万代)
DFN-8(3x3)

5000+:¥1.1856

2500+:¥1.248

1250+:¥1.3312

100+:¥1.4768

1+:¥1.8616

330

--
1-3工作日
AON7524
AOS
DFN-3

65000+:¥1.2544

30000+:¥1.2656

5000+:¥1.2768

2500+:¥1.344

1250+:¥1.4336

100+:¥1.5904

1+:¥2.0048

330

22+
2-5工作日
AON7524
Alpha & Omega Semiconductor
DFN-3

15000+:¥1.475

9000+:¥1.5

5000+:¥1.5375

5000

-
5-7工作日
AON7524
AOS(美国万代)
DFN 3x3 EP

100+:¥1.562

30+:¥1.969

330

-
3天-15天
AON7524
AOS
DFN3x3-8L

5000+:¥1.14

1+:¥1.2

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 25A(Ta),28A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 50 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2250 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),32W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN