咨询/建议
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：12.5mΩ@10V；16mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@4.5V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：61A，耗散功率(Pd)：2.5W
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：17.8 毫欧 @ 8A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：15V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：225mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：3.5Ω@10V,220mA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：50mA，集射极击穿电压(Vceo)：15V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V,2A，耗散功率(Pd)：1.25W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：500mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：8 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2Ω@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：83A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：130A，导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ@10V
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：7，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：达林顿晶体管
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：55V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A，3.4A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：50 毫欧 @ 4.7A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：98A，导通电阻(RDS(on))：3.2mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：73A，导通电阻(RDS(on))：7.5mΩ@10V,20A
双向可控硅类型：可控硅 - 无缓冲器，电压 - 断态：800 V，电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）：16 A，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：1.3 V，电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：160A，168A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.5kV，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：6.5Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ@10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：50mA，耗散功率(Pd)：300mW，直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：7Ω@5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：210mΩ@1.8V，耗散功率(Pd)：1.1W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：900mA，导通电阻(RDS(on))：400mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.5V @ 100µA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：500nA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：460mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：220mV @ 50mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.3V，保持电流(Ih)：25mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
通道数：七路，集射击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：500mA，最大输入电压(VI)：30V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@4.5V,5.9A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 400mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：10µA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V