咨询/建议
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：49mΩ
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：820mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2.7A，导通电阻(RDS(on))：138mΩ@4.5V,2.5A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：760mA（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：280mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：95A，导通电阻(RDS(on))：5.1mΩ@10V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，8V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：30A，耗散功率(Pd)：20W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@10V,8A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 4.5A，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：35A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：17A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V,3A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：65A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：23A；18A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@10V,18A
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：54A（Ta），150A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：110A，导通电阻(RDS(on))：4.2mΩ@10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：50mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，导通电阻(RDS(on))：24mΩ@10V，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：625mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.9A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,4.9A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@4.5V,3A，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：150 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：35 V，不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)：2 mA @ 15 V，不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：500 mV @ 1 µA，电阻 - RDS(On)：100 Ohms
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：105mΩ@10V,5A
通道数：八路，集电极电流(Ic)：500mA，最大输入电压(VI)：30V，工作温度：-40℃~+85℃
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,20A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3.8A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V
门极触发电压(Vgt)：1.5V，保持电流(Ih)：60mA，断态峰值电压(Vdrm)：600V，门极触发电流(Igt)：35mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：93A，导通电阻(RDS(on))：5mΩ@4.5V
安装类型：表面贴装型，封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：160mΩ@4.5V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：300mW