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晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：400mW，直流电流增益(hFE)：160@5mA,10V
晶体管类型：2 NPN（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@2.5V,1A，阈值电压(Vgs(th))：1.3V@250uA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，耗散功率(Pd)：3.7W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：800mA，导通电阻(RDS(on))：1.4Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V,4.4A
通道数：七路，集射击穿电压(Vceo)：50V，最大输入电压(VI)：30V，工作温度：-20℃~+70℃
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：1.4A，导通电阻(RDS(on))：280mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：3W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：160mΩ@10V,4A
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：1.25W
可控硅类型：1个双向可控硅，门极触发电压(Vgt)：1.5V，保持电流(Ih)：35mA，断态峰值电压(Vdrm)：800V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 10A，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：500mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：225mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：150V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：150mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：625mW
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4V,5A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.1A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@2.5V,1A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.9A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,4.9A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V,8A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：800 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：6.2mΩ@10V；9.5mΩ@4.5V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.9A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V,5.6A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V；12.5mΩ@4.5V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：6A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：2W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：82V，连续漏极电流(Id)：95A，导通电阻(RDS(on))：6.6mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：3.2mΩ@4.5V,15A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，最小输入电压(VI(on))：3V@10mA,0.3V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）