咨询/建议
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：95mΩ@4.5V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：250mA，导通电阻(RDS(on))：2.8Ω@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.3W
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 50mA，5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V,30A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@10V
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：7，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：达林顿晶体管
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,25A，功率(Pd)：90W
IGBT 类型：场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：180 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，60A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：150mA，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：250mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：800mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：625mW
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：450mΩ@1.8V,250mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：256mW，直流电流增益(hFE)：35@5.0mA,10V
晶体管类型：2 PNP（双）配对，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 10mA，1V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：13A，导通电阻(RDS(on))：9mΩ
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：225 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：400 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 6mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，8V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：6.3A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：19V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@4.5V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3.8A，导通电阻(RDS(on))：98mΩ@10V,4A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：79A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A，40A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 15.6A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
集射极击穿电压(Vces)：1.2kV，集电极电流(Ic)：80A，耗散功率(Pd)：333W，正向压降(Vf)：2.4V@20A
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：1.7Ω@10V；6Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：200mW，直流电流增益(hFE)：200@10mA,5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：300mA，集射极击穿电压(Vceo)：300V，耗散功率(Pd)：350mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：100mW，直流电流增益(hFE)：80@10mA,5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：310mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：80V，耗散功率(Pd)：225mW
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.05Ω@4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.4W
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：100V，耗散功率(Pd)：250mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：38mΩ@10V,4A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V；80mΩ@2.5V；65mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：105mΩ@4.5V,2A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：500 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：90mV @ 6mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V,20A