BCP56T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥0.3783
33,704
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BCP56T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

5000+:¥0.3783

2000+:¥0.4039

1000+:¥0.4553

150+:¥0.5355

50+:¥0.6211

5+:¥0.7924

12130

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1000+:¥0.4

1+:¥0.442

6525

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1000+:¥0.416

1+:¥0.45968

6520

24+
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1000+:¥0.52

90+:¥0.5746

7525

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3天-15天
BCP56T1G
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2000+:¥0.6703

1000+:¥0.6997

500+:¥0.7409

100+:¥0.8291

20+:¥0.9173

5+:¥1.0055

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 40 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 1.5 W
频率 - 跃迁 130MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA