咨询/建议
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：37A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：77A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
类型：N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：57A，耗散功率(Pd)：263W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：58A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：66A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：145A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：65A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：66A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：119A（Tc），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 50A，18V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：68A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：750 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：140A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：64A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：63A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：140A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：98A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：145A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：52A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：189 毫欧 @ 6A，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：47A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
停产
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
停产
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：68A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：119A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：72A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：73A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：99A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1000 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V