咨询/建议
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：36A，耗散功率(Pd)：150W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：66A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.7kV，连续漏极电流(Id)：7A，耗散功率(Pd)：62W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：63A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：30A，耗散功率(Pd)：171W
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：52A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：90A，耗散功率(Pd)：463W
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：56A，耗散功率(Pd)：227W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：36A，耗散功率(Pd)：150W
FET 类型：N 通道，技术：SiC（碳化硅结晶体管），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：99A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：60A，耗散功率(Pd)：330W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：26A，耗散功率(Pd)：115W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.7kV，连续漏极电流(Id)：7A，耗散功率(Pd)：62W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：19A，耗散功率(Pd)：125W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：13A，耗散功率(Pd)：75W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：37A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1000 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V