咨询/建议
FET 类型：N 通道，技术：SiC（碳化硅结晶体管），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：225A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiC（碳化硅结晶体管），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：104A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：66A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V