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SCTWA90N65G2V-4
ST(意法半导体)
HiP247-4
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：119A（Tc），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 50A，18V
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封装
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交期
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渠道
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SCTWA90N65G2V-4
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ST(意法半导体)
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HiP247-4
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30+:￥215.68 3+:￥226.65 1+:￥250.44 |
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立即发货
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立创商城
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SCTWA90N65G2V-4
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意法半导体(ST)
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TO-247-3
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30+:￥299.8533 3+:￥359.824 1+:￥539.7359 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 119A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 50A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 157 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3380 pF @ 400 V |
| 功率耗散（最大值） | 565W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |