咨询/建议
IMBG65R083M1HXTMA1
Infineon(英飞凌)
TO-263-7
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IMBG65R083M1HXTMA1
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-263-7
|
1000+:￥29.2133 500+:￥35.056 200+:￥43.82 1+:￥52.5839 |
0 |
-
|
油柑网
|
|
|
IMBG65R083M1HXTMA1
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-263-7
|
1000+:￥30.0985 |
0 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IMBG65R083M1HXTMA1
|
INFINEON
|
PG-TO263-7
|
1+:￥64.2292 |
2 |
-
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 111 毫欧 @ 11.2A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 3.3mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 19 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +23V，-5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 624 pF @ 400 V |
| 功率耗散（最大值） | 126W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |