咨询/建议
二极管配置：独立式，整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.4V@2A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：36A，耗散功率(Pd)：150W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V
二极管配置：独立式，整流电流：13.5A，正向压降(Vf)：1.4V@4A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.5V，直流反向耐压(Vr)：650V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：66A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.7kV，连续漏极电流(Id)：7A，耗散功率(Pd)：62W
二极管配置：独立式，整流电流：70A，正向压降(Vf)：1.5V@25A，直流反向耐压(Vr)：1.7kV
二极管配置：独立式，整流电流：10A，正向压降(Vf)：1.4V@2A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：54.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：20A，正向压降(Vf)：1.8V@8A，直流反向耐压(Vr)：650V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：63A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
二极管配置：独立式，整流电流：12A，正向压降(Vf)：1.4V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：30A，耗散功率(Pd)：171W
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：52A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：90A，耗散功率(Pd)：463W
二极管配置：独立式，整流电流：30A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：56A，耗散功率(Pd)：227W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
二极管配置：独立式，整流电流：29A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：600V
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
二极管配置：独立式，整流电流：33A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：12A，正向压降(Vf)：1.5V@12A，直流反向耐压(Vr)：1.7kV
二极管配置：独立式，整流电流：86A，正向压降(Vf)：1.35V@20A，直流反向耐压(Vr)：650V
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：36A，耗散功率(Pd)：150W
二极管配置：独立式，整流电流：20A，正向压降(Vf)：1.4V@5A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
FET 类型：N 通道，技术：SiC（碳化硅结晶体管），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：99A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
二极管配置：独立式，整流电流：24A，正向压降(Vf)：1.5V@8A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：19A，正向压降(Vf)：1.4V@5A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
二极管配置：独立式，整流电流：54.5A，正向压降(Vf)：1.5V@20A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：60A，耗散功率(Pd)：330W
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：37A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：26A，耗散功率(Pd)：115W
二极管配置：独立式，整流电流：20A，正向压降(Vf)：1.4V@5A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V，电流 - 平均整流 (Io)：12A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.35 V @ 4 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io），反向恢复时间 (trr)：0 ns
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：49A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
二极管配置：独立式，整流电流：6A，正向压降(Vf)：1.5V，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管类型：SiC (Silicon Carbide) Schottky，电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V，电流 - 平均整流 (Io)：10A，不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 2 A，速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
二极管配置：独立式，整流电流：55A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：1对共阴极，整流电流：27.5A，正向压降(Vf)：1.5V@10A，直流反向耐压(Vr)：650V
二极管配置：独立式，整流电流：43.5A，正向压降(Vf)：1.6V@15A，直流反向耐压(Vr)：1.2kV