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NTBG015N065SC1
onsemi(安森美)
TO-263-7
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：145A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NTBG015N065SC1
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onsemi(安森美)
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TO-263-7
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30+:￥117.1272 5+:￥122.8178 3+:￥139.4148 1+:￥156.0118 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 145A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V，18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 75A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.3V @ 25mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 283 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4689 pF @ 325 V |
| 功率耗散（最大值） | 500W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |