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SCT3060ALGC11
ROHM(罗姆)
TO-247-3
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SCT3060ALGC11
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ROHM(罗姆)
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TO-247-3
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30+:￥52.27 10+:￥58.46 1+:￥68.61 |
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立创商城
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SCT3060ALGC11
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ROHM(罗姆)
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TO-247N
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450+:￥42.04 1+:￥43.21 |
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圣禾堂
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罗姆(ROHM)
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TO-247-3
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4500+:￥46.244 900+:￥49.9225 450+:￥52.55 200+:￥73.57 100+:￥105.1 10+:￥162.905 |
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油柑网
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ROHM(罗姆)
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TO-247-3
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5+:￥84.1144 2+:￥135.591 |
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3周-4周
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 39A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 78 毫欧 @ 13A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.6V @ 6.67mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 58 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 852 pF @ 500 V |
| 功率耗散（最大值） | 165W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |