SCT3080KLHRC11
ROHM(罗姆)
TO-247-3
¥128.586
834
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:SiCFET(碳化硅),漏源电压(Vdss):1200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
SCT3080KLHRC11
ROHM(罗姆)
TO-247N

30+:¥128.5863

20+:¥129.6595

10+:¥132.8792

9+:¥133.5883

5+:¥139.309

4+:¥142.5287

3+:¥147.8852

1+:¥190.7856

450

-
3周-4周
SCT3080KLHRC11
ROHM(罗姆)
TO-247N

30+:¥128.5863

20+:¥129.6595

10+:¥132.8792

9+:¥133.5883

5+:¥139.309

4+:¥142.5287

3+:¥147.8852

1+:¥190.7856

354

-
3周-4周
SCT3080KLHRC11
ROHM(罗姆)
TO-247-3

30+:¥144.06

1+:¥152.14

30

-
立即发货
SCT3080KLHRC11
罗姆(ROHM)
TO-247-3

1000+:¥55.8933

500+:¥67.072

200+:¥83.84

1+:¥100.6079

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 104 毫欧 @ 10A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 60 nC @ 18 V
Vgs(最大值) +22V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 785 pF @ 800 V
功率耗散(最大值) 165W
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3