MSC040SMA120B
MICROCHIP(美国微芯)
TO-247-3
¥198.991
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碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:SiCFET(碳化硅),漏源电压(Vdss):1200 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):66A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
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MSC040SMA120B
美国微芯(MICROCHIP)
TO-247-3

30+:¥198.9909

1+:¥358.1836

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MSC040SMA120B
MICROCHIP(美国微芯)
TO-247-3

30+:¥200.33

1+:¥210.01

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 66A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 137 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +23V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1990 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值) 323W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3