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MSC040SMA120B4
MICROCHIP(美国微芯)
TO-247-4
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：66A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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MSC040SMA120B4
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美国微芯(MICROCHIP)
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TO-247-4
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30+:￥135.7272 1+:￥244.309 |
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油柑网
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MSC040SMA120B4
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MICROCHIP(美国微芯)
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TO-247-4
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30+:￥158.98 1+:￥167.62 |
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立即发货
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 66A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 40A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 2mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 137 nC @ 20 V |
| Vgs（最大值） | +23V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1990 pF @ 1000 V |
| 功率耗散（最大值） | 323W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |