MSC015SMA070B4
MICROCHIP(美国微芯)
TO-247-4
¥259.305
3
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:SiCFET(碳化硅),漏源电压(Vdss):700 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
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MSC015SMA070B4
MICROCHIP(美国微芯)
TO-247-4

30+:¥259.3049

1+:¥271.2121

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MSC015SMA070B4
美国微芯(MICROCHIP)
TO-247-4

30+:¥386.96

1+:¥696.528

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 140A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 19 毫欧 @ 40A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 215 nC @ 20 V
Vgs(最大值) +23V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4500 pF @ 700 V
功率耗散(最大值) 455W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-4