咨询/建议
SCTWA90N65G2V
ST(意法半导体)
TO-247
碳化硅场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：650 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：119A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SCTWA90N65G2V
|
ST(意法半导体)
|
TO-247
|
30+:￥227.185 1+:￥237.734 |
3 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SCTWA90N65G2V
|
意法半导体(ST)
|
TO-247
|
30+:￥293.1413 1+:￥527.6543 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | SiCFET（碳化硅） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 119A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 18V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 50A，18V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 157 nC @ 18 V |
| Vgs（最大值） | +22V，-10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3380 pF @ 400 V |
| 功率耗散（最大值） | 565W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |