NVBG040N120M3S
onsemi(安森美)
D2PAK-7L
¥85.1424
50
碳化硅场效应管(MOSFET)
类型:N沟道,漏源电压(Vdss):1.2kV,连续漏极电流(Id):57A,耗散功率(Pd):263W
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NVBG040N120M3S
onsemi(安森美)
D2PAK-7L

100+:¥85.1424

30+:¥95.11

10+:¥104.55

1+:¥110.0

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规格参数
属性 属性值
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 1.2kV
连续漏极电流(Id) 57A
耗散功率(Pd) 263W