DGTD65T15H2TF
DIODES(美台)
ITO-220AB-3
¥5.474
99
IGBT管/模块
IGBT 类型:场截止,电压 - 集射极击穿(最大值):650 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
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DGTD65T15H2TF
DIODES(美台)
ITO-220AB-3

1000+:¥5.474

500+:¥5.6304

100+:¥5.9772

30+:¥6.7524

10+:¥7.5072

1+:¥8.7176

99

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DGTD65T15H2TF
Diodes(达尔)
TO-220-3 全封装,隔离接片

1000+:¥5.2854

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DGTD65T15H2TF
美台(DIODES)
ITO-220AB-3

500+:¥7.8104

100+:¥8.982

30+:¥10.9346

10+:¥13.2777

1+:¥15.6208

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
IGBT 类型 场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 60 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,15A
功率 - 最大值 48 W
开关能量 270µJ(开),86µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 61 nC
25°C 时 Td(开/关)值 19ns/128ns
测试条件 400V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 150 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片