咨询/建议
STGP4M65DF2
ST(意法半导体)
TO-220
IGBT管/模块
IGBT 类型：沟槽型场截止，电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：8 A，电流 - 集电极脉冲 (Icm)：16 A，不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
STGP4M65DF2
|
ST(意法半导体)
|
TO-220
|
1000+:￥3.6476 500+:￥3.762 100+:￥4.0172 50+:￥4.5804 10+:￥5.1348 1+:￥6.0192 |
49 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
STGP4M65DF2
|
意法半导体(ST)
|
TO-220
|
50+:￥13.0933 10+:￥15.712 1+:￥23.5679 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 8 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 16 A |
| 不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，4A |
| 功率 - 最大值 | 68 W |
| 开关能量 | 40µJ（开），136µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 15.2 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 12ns/86ns |
| 测试条件 | 400V，4A，47 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 133 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |