GT40QR21(STA1,E,D
TOSHIBA(东芝)
TO-3P-3
¥12.78
152
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,40A,功率 - 最大值:230 W
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
GT40QR21(STA1,E,D
TOSHIBA(东芝)
TO-3P-3

100+:¥12.78

25+:¥14.67

10+:¥16.51

1+:¥19.45

147

-
立即发货
GT40QR21(STA1,E,D
TOSHIBA(东芝)
TO-3PN-3

3000+:¥7.35

1+:¥7.6

0

-
立即发货
GT40QR21(STA1,E,D
东芝(TOSHIBA)
TO-3P-3

500+:¥15.0533

100+:¥17.3113

25+:¥21.0746

10+:¥25.5906

1+:¥30.1066

0

-
GT40QR21(STA1,E,D
TOSHIBA
[SC-65, TO-3P(N)]

1+:¥30.7936

5

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 80 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.7V @ 15V,40A
功率 - 最大值 230 W
开关能量 -,290µJ(关)
输入类型 标准
测试条件 280V,40A,10 欧姆,20V
反向恢复时间 (trr) 600 ns
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3