STGE200NB60S
ST(意法半导体)
SOTOP-4
¥235.89
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IGBT管/模块
配置:单路,电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 A,功率 - 最大值:600 W,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.6V @ 15V,100A
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STGE200NB60S
ST(意法半导体)
SOTOP-4

30+:¥235.89

1+:¥246.67

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
配置 单路
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 A
功率 - 最大值 600 W
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 1.6V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值) 500 µA
不同\xa0Vce 时输入电容 (Cies) 1.56 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC