STGD10HF60KD
ST(意法半导体)
DPAK
¥5.6018
2
IGBT管/模块
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):18 A,电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A,不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,5A,功率 - 最大值:62.5 W
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STGD10HF60KD
ST(意法半导体)
DPAK

1000+:¥5.6018

500+:¥5.7535

100+:¥6.0902

30+:¥7.3186

10+:¥8.0401

1+:¥9.25

2

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STGD10HF60KD
意法半导体(ST)
DPAK

30+:¥12.8064

10+:¥15.3677

1+:¥23.0515

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 18 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 30 A
不同\xa0Vge、Ic 时\xa0Vce(on)(最大值) 2.75V @ 15V,5A
功率 - 最大值 62.5 W
开关能量 45µJ(开),105µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 23 nC
25°C 时 Td(开/关)值 9.5ns/87ns
测试条件 400V,5A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 50 ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63