咨询/建议
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.7A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V,3.1A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@1.8V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V,2A，耗散功率(Pd)：500mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：85V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：170mA，导通电阻(RDS(on))：9.9Ω@4.5V,150mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：56A，导通电阻(RDS(on))：14.8mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），71A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：246mW，直流电流增益(hFE)：80@5.0mA,10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.4A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V,1A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Ta），18.2A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@4.5V,4A，耗散功率(Pd)：350mW
晶体管类型：NPN - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：4.7 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：47 kOhms
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：90A，耗散功率(Pd)：96W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：100mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：300 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 2mA，20mA，电流 - 集电极截止（最大值）：250nA（ICBO）
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：1A，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：500mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），70A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：2A，集射极击穿电压(Vceo)：50V，耗散功率(Pd)：500mW
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：1.4A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@4.5V,0.5A，耗散功率(Pd)：360mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V；17mΩ@4.5V
晶体管类型：8 NPN 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：500mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 500µA，350mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50µA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：NPN+PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：150mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,3.5A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4.3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：215mV @ 500mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：4.4A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@10V；95mΩ@4.5V
双向可控硅类型：标准，电压 - 断态：600 V，电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）：40 A，电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）：1.3 V，电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)：400A，420A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：380mA，导通电阻(RDS(on))：2.3Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@2.5V,1A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.3A（Ta），3.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V，耗散功率(Pd)：65W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：82mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：3A，集射极击穿电压(Vceo)：30V，耗散功率(Pd)：1.25W
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：1.5A，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）