ZXTP2012ZTA
DIODES(美台)
SOT-89
¥0.7931
263,153
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4.3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):215mV @ 500mA,5A,电流 - 集电极截止(最大值):20nA(ICBO)
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ZXTP2012ZTA
DIODES(美台)
SOT-89

5000+:¥0.7931

2000+:¥0.8525

1000+:¥0.9515

150+:¥1.2513

50+:¥1.4295

5+:¥1.8453

26500

-
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ZXTP2012ZTA
DIODES(美台)
SOT89

1000+:¥0.814

1+:¥0.883

115315

24+
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SOT-89

1000+:¥0.8954

60+:¥0.9713

115315

-
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DIODES(美台)
SOT89-3

1000+:¥0.9134

400+:¥1.1892

200+:¥1.2012

50+:¥1.3723

5+:¥1.7715

538

-
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ZXTP2012ZTA
DIODES(美台)
SOT89

1000+:¥1.01

150+:¥1.29

50+:¥1.48

5+:¥1.83

4588

22+/23+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 4.3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 215mV @ 500mA,5A
电流 - 集电极截止(最大值) 20nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 2A,1V
功率 - 最大值 2.1 W
频率 - 跃迁 120MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA