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AOD413A
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DPAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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AOD413A
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AOS
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TO252
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2500+:￥0.598 1+:￥0.646 |
6319 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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AOD413A
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AOS(美国万代)
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TO-252，（D-Pak）
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2500+:￥0.62192 1+:￥0.67184 |
6315 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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AOD413A
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AOS
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DPAK
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2500+:￥0.6366 500+:￥0.7415 150+:￥0.8854 50+:￥1.0007 5+:￥1.2697 |
2935 |
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立即发货
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立创商城
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AOD413A
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AOS(美国万代)
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TO-252
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2500+:￥0.6578 1250+:￥0.7106 100+:￥0.8382 50+:￥1.0901 |
6319 |
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3天-15天
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唯样商城
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AOD413A
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AOS
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TO-252-2
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2500+:￥0.67 500+:￥0.75 50+:￥0.89 5+:￥1.25 |
3000 |
23+/24+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 44 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 21 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1125 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |