咨询/建议
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.4A，导通电阻(RDS(on))：210mΩ@1.8V,0.3A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@10V,3A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，导通电阻(RDS(on))：380mΩ@4.5V，阈值电压(Vgs(th))：350mV
晶体管类型：NPN - 达林顿，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：4V @ 20mA，5A，电流 - 集电极截止（最大值）：500µA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：160V，耗散功率(Pd)：300mW
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
开关类型：继电器，螺线管驱动器，输出数：7，比率 - 输入:输出：1：1，输出配置：低端，输出类型：达林顿晶体管
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.9Ω@10V,0.3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V,6.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@2.5V,1A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.2A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V,5.5A
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：400mV @ 5mA，50mA，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，导通电阻(RDS(on))：380mΩ@4.5V,650mA
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：65V，耗散功率(Pd)：350mW
集射极击穿电压(Vceo)：50V，集电极电流(Ic)：100mA，耗散功率(Pd)：150mW，直流电流增益(hFE)：80@10mA,5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：890mA，导通电阻(RDS(on))：320mΩ@1.8V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V,8A
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：230mV @ 300mA，6A，电流 - 集电极截止（最大值）：50nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：600mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：625mW
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@1.8V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V,12A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：3mΩ@10V,50A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：3.3mΩ@4.5V,20A，耗散功率(Pd)：75W
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@2.5V,4A，耗散功率(Pd)：1.4W
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：100mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：200mW
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：172A，导通电阻(RDS(on))：4.2mΩ@10V,50A
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：300mA，集射极击穿电压(Vceo)：300V，耗散功率(Pd)：350mW
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，耗散功率(Pd)：380mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：290mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：300A，导通电阻(RDS(on))：2mΩ@6V,75A
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.4A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V,2.7A
晶体管类型：PNP，集电极电流(Ic)：200mA，集射极击穿电压(Vceo)：40V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：25V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，集电极电流(Ic)：500mA，集射极击穿电压(Vceo)：45V，耗散功率(Pd)：300mW
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）