AOD403
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252
¥1.0503
75,597
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta),70A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V
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AOD403
AOS
TO-252

5000+:¥1.0503

2500+:¥1.121

500+:¥1.2388

150+:¥1.6531

50+:¥1.8651

5+:¥2.3598

22105

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AOD403
AOS
TO-252

2500+:¥1.06

1+:¥1.12

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AOD403
AOS(美国万代)
TO-252-3

2500+:¥1.1024

1+:¥1.1648

12574

25+
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AOD403
AOS
TO-252

500+:¥1.19

100+:¥1.63

20+:¥1.88

1+:¥2.29

2399

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AOD403
AOS
TO-252-2(DPAK)

25000+:¥1.199

5000+:¥1.2944

2500+:¥1.3625

800+:¥1.9075

200+:¥2.725

10+:¥4.2238

12585

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A(Ta),70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V,20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 20A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 120 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5300 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),90W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63