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CSD18540Q5B
TI(德州仪器)
VSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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VSON-8(5x6)
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1000+:￥6.0662 500+:￥6.272 100+:￥6.7522 30+:￥8.83 10+:￥9.89 1+:￥11.57 |
3270 |
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立创商城
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TI(德州仪器)
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8-VSON-CLIP(5x6)
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2500+:￥6.2 1+:￥6.42 |
438 |
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圣禾堂
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TI(德州仪器)
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VSON8_6X5MM_SM
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500+:￥6.2508 10+:￥9.7938 1+:￥11.4821 |
130 |
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华秋商城
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TI(德州仪器)
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VSON-8(5x6)
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2500+:￥6.448 1+:￥6.6768 |
432 |
24+
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硬之城
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TI(德州仪器)
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8-PowerTDFN
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100+:￥7.403 6+:￥8.602 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 毫欧 @ 28A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 53 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4230 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），195W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |