咨询/建议
IRLR024NTRPBF
Infineon(英飞凌)
DPAK(TO-252AA)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
IRLR024NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-3(DPAK)
|
2000+:￥0.72 1+:￥0.781 |
5990 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
IRLR024NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-2(DPAK)
|
2000+:￥0.7488 1+:￥0.81224 |
4768 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
IRLR024NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
DPAK(TO-252AA)
|
4000+:￥0.7788 2000+:￥0.831 500+:￥0.9085 150+:￥1.1038 50+:￥1.2603 5+:￥1.6256 |
4900 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
IRLR024NTRPBF
|
英飞凌(INFINEON)
|
TO-252
|
20000+:￥0.825 4000+:￥0.8906 2000+:￥0.9375 500+:￥1.3125 200+:￥1.875 10+:￥2.9063 |
49824 |
-
|
油柑网
|
|
|
IRLR024NTRPBF
|
Infineon(英飞凌)
|
TO-252-2
|
500+:￥0.85 150+:￥1.09 50+:￥1.24 1+:￥1.55 |
5262 |
24+/23+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 15 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 480 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |