咨询/建议
NTMFS5C670NLT1G
onsemi(安森美)
SO-8FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），71A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
NTMFS5C670NLT1G
|
ON(安森美)
|
SO-FL-8
|
1500+:￥1.3 1+:￥1.4 |
4005 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
NTMFS5C670NLT1G
|
ON(安森美)
|
SO-8-FL
|
1500+:￥1.352 1+:￥1.456 |
3997 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
NTMFS5C670NLT1G
|
ON(安森美)
|
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
|
1500+:￥1.43 50+:￥1.54 30+:￥2.013 |
4005 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
NTMFS5C670NLT1G
|
onsemi(安森美)
|
SO-8FL
|
1500+:￥1.5939 500+:￥1.6929 100+:￥2.0493 30+:￥2.39 10+:￥2.71 1+:￥3.36 |
3934 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
NTMFS5C670NLT1G
|
onsemi(安森美)
|
QFN8
|
500+:￥1.68 100+:￥2.03 20+:￥2.54 1+:￥3.28 |
4500 |
24+/25+
|
在芯间
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Ta），71A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.1 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1400 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），61W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |