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SSM3J332R,LF
TOSHIBA(东芝)
SOT-23F
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SSM3J332R,LF(T
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Toshiba(东芝)
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SOT-23F-3
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3000+:￥0.12792 1+:￥0.14456 |
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25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SSM3J332R,LF
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-23F
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9000+:￥0.1351 6000+:￥0.1441 3000+:￥0.1621 300+:￥0.2048 100+:￥0.2348 10+:￥0.2948 |
10270 |
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立即发货
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立创商城
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SSM3J332R,LF(T
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东芝(TOSHIBA)
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SOT-23F
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30000+:￥0.1353 6000+:￥0.1461 3000+:￥0.1538 800+:￥0.2153 100+:￥0.3076 20+:￥0.4768 |
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油柑网
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SSM3J332R,LF(T
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Toshiba(东芝)
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SOT23F
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3000+:￥0.1396 1200+:￥0.1411 600+:￥0.1442 100+:￥0.1836 10+:￥0.2129 |
2753 |
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华秋商城
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SSM3J332R,LF(T
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Toshiba(东芝)
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3000+:￥0.1845 1500+:￥0.2085 210+:￥0.2385 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 42 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 560 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |