DMP6023LE-13
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.0756
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Ta),18.2A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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DIODES INCORPORATED
SOT-223-4

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1+:¥1.1933

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200+:¥2.7126

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DIODES(美台)
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Diodes(达尔)
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规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A(Ta),18.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 53.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2569 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA